外源性H_2S对血管性痴呆大鼠缺血再灌注后神经元线粒体损伤及其相关信号通路的影响

目的 以二血管(2-VO)法制作血管性痴呆(VaD)大鼠模型,探讨神经元自噬及相关信号通路的变化及外源性硫化氢(H_2S)的神经保护作用。方法 改良2-VO结扎SD大鼠双侧颈总动脉制作VaD模型,按缺血进程急性缺血期、缺血损伤期、损伤恢复期共设置1、7、30 d 3个时间段,每个时间段各有假手术(Sham)组、模型(VaD)组、阳性对照[尼莫地平(Nimodipine)组、硫氢化钠(NaSH)低剂量(Low-NaSH)组、NaSH高剂量(High-NaSH)组。为保持药物处理时间一致,1 d及7 d,各组术前灌胃给药30 d, 30 d各组术后灌胃给药30 d, VaD组和Sham组生理盐水灌胃,Nimodipine组Nimodipine灌胃给药,Low-NaSH组、High-NaSH组NaSH灌胃给药。利用水迷宫检测30 d各组学习记忆能力。Western印迹检测海马神经元线粒体蛋白中Beclin1、P62、蛋白激酶B(Akt)、P-Akt、哺乳动物雷帕霉素靶蛋白(mTOR)、P-mTOR表达。结果 术后1 d,与Sham组比较,VaD组Beclin1、P-Akt、P-mTOR表达显著降低;与VaD组比较,不同剂量NaSH组Beclin1表达显著降低,Nimodipine组及不同剂量NaSH组P-Akt表达显著降低(P<0.01,P<0.05)。术后7 d,与Sham组比较,VaD组P62、P-Akt、P-mTOR表达显著降低,Beclin1表达显著升高;与VaD组比较,Nimodipine组及不同剂量NaSH组P62表达显著升高、Beclin1表达显著降低,不同剂量NaSH组P-Akt表达显著升高,High-NaSH组P-mTOR表达显著升高(P<0.05,P<0.01)。术后30 d,与Sham组比较,VaD组Beclin1、P62表达显著升高,P-mTOR、P-Akt表达显著降低;与VaD组比较,Nimodipine组及不同剂量NaSH组Beclin1、P62表达显著降低,P-mTOR、P-Akt表达显著升高;与Low-NaSH组比较,High-NaSH组Beclin1、P62表达显著降低VP-16,P-mTOR、P-Akt表达显著升高(P<0.05,P<0.01)。结论 缺血再灌注会导致神经确认细节细胞线粒体功能受损,且引发线粒体自噬,外源性H_2S可减轻VaD大鼠海马神经元线粒体自噬程度并保护线粒体功oral pathology能,从而改善VaD大鼠学习记忆功能,推测其保护作用是通过上调磷脂酰肌醇3蛋白激酶(PI3K)/Akt/mTOR信号通路实现的。