心脏电子植入装置植入后并发心房颤动的危险因素分析及风险预测模型建立

目的:探究心脏电子植入装置(CIEDs)植入后发生心房颤动患者的危险因素及风险预测模型建立,为尽早发现高风险人群、及时采取干预措施提供依据。方法:回顾性分析我院住院植入心脏电子植入装置患者的临床资料,根据术后对植入装置程控检查将未发心房高频事件的患者作为对照组(n=86),对发生心房高频事件患者进一步使用穿戴式12导联心电设备检测到心房颤动作为病例组(n=34),采用单因素和多因素Logistic回归分析CIEDs置入后心房颤动发生的独立危险因素,分析其对房颤发生的预测价值。结果:单因素分析结果显示,吸烟、高血压、脑梗死、中性粒细胞、UA左房内径、钙离子拮抗剂的占比高于对照组,差异均有统LY294002试剂计学意义(P<0.05)。多因素Logistic回归分析显示,吸烟、高血压、脑梗死、左房内径为CIEDs植入后发生房颤的独立危险因素(P<0.05),ACEI/ARB为保护因素(P<0.05)。构建indoor microbiome模型显示ROC曲线下面积为0.920,预测灵敏度和特异度分别为94.12%、76.74%。结论:吸烟、高血压、脑PLX5622配制梗死、左房内径可作为临床预测CIEDs植入后是否并发心房颤动的重要参考依据。